近日，功率半导体龙头厂商英飞凌宣布，将投资超20亿欧元在马来西亚居林工厂建造第三个厂区，以大幅增加产能，新厂区主要涉及外延工艺和晶圆切割等关键工艺，将于6月开始施工，预计第一批晶圆将于2024年下半年下线。
英飞凌此前透露，其2022财年的投资将大幅提升至24亿欧元。如今超八成资金被用在了第三代半导体投资上。未来，英飞凌还将持续为其第三代半导体业务注资，将把奥地利菲拉赫的6英寸、8英寸硅基半导体生产线改造为第三代半导体生产线，这意味着英飞凌正集中火力向第三代半导体产业的纵深处进发。
长期以来，硅始终是集成电路芯片制造最广泛的原材料，然而在5G走向成熟落地、物联网设备连接数持续增加、汽车产业智能化转型加速的趋势下，受材料本身特性的限制，硅基半导体逐渐无法满足日益提高的市场需求。
在这种情况下，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料逐渐崭露头角，凭借其高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，展现巨大的市场前景，正成为全球半导体市场争夺的焦点，国内外第三代半导体技术、产品、市场、投资均呈现较高增长态势。
据TrendForce预测，2025年全球SiC功率器件市场规模将达到33.9亿美元，GaN功率器件市场规模也将达8.5亿美元。
2020-2025年全球SiC功率市场规模（单位：亿美元）图源：TrendForce
