三星

英特尔3nm,加入战局!

在先进制程代工成本越来越昂贵的当下,英特尔的入局,会给客户提供更多的筹码?

在接受日本媒体IT Media 采访时,英特尔日本负责人分享了公司在未来四年内重新夺回制程*地位的计划。

他表示。随着 Alder 和 Raptor Lake 的 7nm(Intel 7)节点问世,Meteor Lake 的 4nm(i4)晶圆已经量产。Intel 4 工艺将带来20% 的每瓦性能提升,并采用 EUV 光刻技术以获得更好的良率和密度。

他进一步指出。英特尔还准备在 2023 年底推出其 3nm 等效工艺节点。这些晶圆专为服务器级至强芯片设计。第 5 代 Xeon Emerald Rapids-SP 将采用 Intel 3 工艺制造。Emerald Rapids 将在 Sapphire Rapids 一年内作为软更新推出。值得一提的是,这将是最后一个采用 FinFET 晶体管的节点。

你可能想知道英特尔如何在六个月内量产两个节点。但其实按照报道,英特尔的4nm(intel 4)和 3nm(intel 3)工艺由两个独立的团队同时开发。这本质上是Tick Tock 模型的重新启动,允许快速节点采用。

由此可见,在14nm苦苦挣扎几年之后,英特尔将在今年进一步拉近和台积电和三星的差距,其IDM 2.0战略,也使得他们成为了3nm代工的一个重要玩家。

三星台积电先后跨入

和5nm一样,三星和台积电都率先进入了3nm时代。

在2022年六月份,韩国巨头三星宣布,公司已开始了采用环栅 (GAA) 晶体管架构的3纳米 (nm) 工艺节点的初始生产。

三星表示,公司通过一个名为Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET™) 的 GAA 技术,突破了 FinFE

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