新型通用氮化镓功率器件

致能主要通过量产型硅衬底上氮化镓外延开发新型通用氮化镓功率器件，在降低漏电流的同时避免电流耗散效应，实现具有低栅漏电的可靠常关型器件。垂直结构的GaN HEMT是公司的核心产品，相比目前传统水平结构的GaN HEMT，器件结构具有颠覆性，性能上具有高耐压，高阈值电压、高频性能突出的优势，同时兼顾了优异的散热性和低成本特性。