项目介绍
公司专精SiC MOSFET器件代工。目前全球可量产的碳化硅沟槽结构高度稀缺，仅有ROHM的双沟槽结构、英飞凌的半包沟槽结构、日本住友的接地双掩埋结构，宽能深耕功率半导体器件代工领域，掌握SiC器件全工艺流程，其中蚀刻制程解决干式蚀刻困难度，可生产Trench 沟槽式MOSFET，宽能核心技术器件结构的技术壁垒将为公司产品带来成本和性能上的优势。
公司简介
- 宽能半导体成立于2021年11月，是全球*的6吋SiC晶圆代工厂。公司专精SiC MOSFET器件代工，并具备标准的SiC工艺及设计平台，协助目标客户迅速导入量产。产品应用于电动汽车、充电桩、光伏微型逆变器等领域。公司核心团队包括多名国际一流的第三代半导体工艺和制造专家，具备10年以上相关产品量产经验。目前首条产线落地南京，正在建设中，建成后将是国内*大的碳化硅半导体晶圆厂。
南京市南京宽能半导体有限公司
