光刻机一直是半导体领域的热门话题。
从早期的深紫外（DUV）光刻机起步，其稳定可靠的性能为半导体产业的发展奠定了坚实基础；到后来的极紫外（EUV）光刻机以其独特的极紫外光源和更短的波长，成功将光刻精度推向了新的高度；再到如今的高数值孔径（High-NA）光刻机正式登上历史舞台，进一步提升了光刻的精度和效率，为制造更小、更精密的芯片提供了可能。
尤其是随着ASML High-NA EUV光刻机的问世，这一目前世界上最先进的芯片制造设备，显著提升了芯片的晶体管密度和性能，这对于实现2nm以下先进制程的大规模量产至关重要。
在此形势下，英特尔、台积电、三星、SK海力士等晶圆制造大厂伺机而动，争相导入或宣布High-NA EUV光刻机市场进展，预示着半导体行业将迎来新一轮的技术革新和竞争高潮。
01 英特尔：时运不济
在半导体巨头中，英特尔是率先向ASML订购新型High-NA EUV设备EXE:5000的企业。
早在2023年12月，英特尔就拿下了全球首台High NA EUV光刻机，并于今年4月宣布其已在位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的Fab D1X研发晶圆厂完成世界首台商用High-NA(0.55NA) EUV光刻机的组装工作，目前已进入光学系统校准阶段，并计划在其18A（1.8nm）和14A（1.4nm）节点上使用。
今年8月，英特尔又宣布成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High-NA EUV光刻机，目前在俄勒冈州的晶圆厂已经顺利完成安装调试。
ASML早些时候曾表示，2nm光刻机近期的产能只有10台，预计到2028年才能每年生产20台。值得注意的是，这1
