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台积电、三星激战2nm光刻机

如果缺乏在三、四年后追上台积电的雄心,中国大陆半导体产业差距会不断扩大。

当前,全球具备5nm及以下制程芯片制造实力的晶圆制造企业,正在展开一场投资超600亿美元、以纳米乃至原子厚度为目标的先进制程竞赛。

近期,2nm等先进芯片发展备受行业关注。

6月17日台积电举行的技术论坛上,晶圆代工龙头台积电(TSMC)首次披露,到2024年,台积电将拥有阿斯麦(ASML)最先进的高数值孔径极紫外(high-NA EUV)光刻机,用于生产纳米片晶体管(GAAFET)架构的2nm(N2)芯片,预计在2025年量产。

与此同时,6月初被美国总统拜登亚洲行接见后,紧接着,韩国三星电子副会长李在镕又马不停蹄奔赴欧洲,有报道指三星电子在阿斯麦获得了十多台EUV光刻机,并于本周起大规模生产3nm芯片,而2nm将于2025年量产。

尽管量产2nm芯片依然还需时日,但此时此刻,台积电、三星电子两家芯片大厂不约而同的寻求下一代EUV光刻机,意味着现在“2nm技术战”已经打响。

“到了未来的技术节点,间距微缩将减缓,硅晶体管似乎只能安全地微缩至2nm,而在那之后,我们可能就会开始使用石墨烯。”芯片制造的核心软件EDA巨头新思科技(Synopsys)研究专家Victor Moroz的这句话道出了2nm技术的重要性:2nm是硅芯片的最后一战。

砸下600亿美元夺nm

1965年,英特尔创始人戈登·摩尔提出了大名鼎鼎的“摩尔定律”(Moore's law)理论,即集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔两年便会增加一倍。

自此之后,“摩尔定律”一直驱动着集成电路和芯片产业的飞速发展。过去的50年中,芯片里的晶体管密度和芯片的性能,都呈现了指数级的增长,而使用晶体管进行计

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